国内首根4英寸VCZ砷化镓单晶拉制成功

　　北京有色金属研究总院研究开发出我国首套蒸气压控制直拉法（VCZ法）晶体生长系统和工艺技术，日前通过国家验收。该院成功拉制出国内第一根直径4英寸VCZ半绝缘砷化镓单晶，可满足高品质超高频、超高速集成电路的要求，填补了国内空白，使我国成为继日本、德国之后第三个掌握该技术的国家，标志着我国砷化镓晶体生长技术进入世界领先行列。

　　参加验收的专家认为：有研总院承担的“九五”国家重点科技攻关项目“蒸气压控制直拉法生长半绝缘砷化镓单晶新技术研究”项目，各项技术指标达到并超过合同要求。这次通过验收的我国第一套蒸汽压控制直拉法单晶生长系统，结构简单，拆装方便，可重复使用，共申报了 4项国家专利，在这个自主设计的单晶生长系统中，已成功地拉制出多根半绝缘砷化镓单晶，位错密度比常规液封直拉法（LEC法）晶体低一个数量级，电阻率大于107Ω·cm，热处理后电阻率变化不大于1.4％，电子迁移率大于6000cm2／V.s，满足高品质集成电路的要求。

　　随着无线通讯、光纤通讯、汽车电子等产业的迅猛发展，半绝缘砷化镓材料市场迅速扩大，有研总院将在国家和北京市的支持下，按“十五”规划的要求，研究开发符合国际潮流的直径6英寸半绝缘砷化镓单晶炉和单晶生长技术，该单晶炉融传统的液封直拉法和先进的蒸汽压控制直拉法工艺于一体，以其独特的工艺设计和明显的价格优势，可满足不同用户的需要，对发展我国半导体高新技术具有十分重大的意义。(中国有色金属报)