江风益

　　 江风益，男，1963年9月出生，南昌大学市南昌大学材料科学研究所。

　　 江风益教授，南昌大学材料科学研究所所长，材料物理与化学专业博士生导师、学术带头人（该点被教育部批准设立特聘教授岗位）。入选国家百千万人才工程（第一、二层次）。曾获江西省科技进步一等奖，全国优秀教师奖等10余项科研及教学奖，享受国务院津贴。

　　 在国内外刊物和会议上发表论文40余篇。首次制备了具有闪锌矿结构的硒化镁半导体材料，首次制备了硫化镁单晶膜，首次观测到ZnSe/ZnS超晶格的重轻空穴激子发光及吸收,提出了鉴定ZnSe/ZnS超晶格的质量的新方法,推导出有效沟道模型的计算公式等等。

　　 艰苦创业，设计和安装了多台半导体发光研究设备，使这块研究基础相对薄弱的红土地上也能开展高技术研究并取得突出成绩。现主持国家863计划项目，所研制的材料的性能及技术指标达到、部分超过任务书中的要求。他走学研产结合之路，和南昌746厂欣磊公司合作，在国内首次研制出半导体紫色发光二极管，并在蓝色发光二极管研制中取得重要突破，目前正与该厂合作开发这两项高技术成果。江风益同志热爱祖国，拥护党的基本路线，有优秀的职业道德和奉献精神。前不久被评为江西省十大科技明星，被批准为国家有突出贡献的中青年专家。