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勇攀科技高峰--常青
常青，男，汉族，1963年出生， 曾获89年首届北京国际博览会荣获金奖；90年部级科技进步二等奖；97年部级科技进步一等奖；1998年获国家科技进步二等奖。 跟踪前沿科技 常青于1984年7月毕业于华中理工大学物理系半导体物理与器件专业并获学士学位，1987年6月毕业于北京有色金属研究总院研究部半导体材料专业并获硕士学位,分配在院半导体材料国家工程研究中心直拉组工作;1993年11月被破格聘为高级工程师,1996年12月被破格聘为教授级高级工程师;1998年9月被聘为国家有色金属工业局教授级高级工程师。1999年被批准享受政府特殊津贴。常青同志具有系统坚实的理论知识,具备跟踪本专业国内外科技发展前沿的能力。在半导体材料制备方面,特别在大直径硅单晶及重掺杂直拉硅单晶研制方面,有深入的研究和独到的见解,该同志在科学技术实践中勇于创新,技术上有突破,做出重要贡献，并发表多篇论文,在同行中具有较高知名度。 走在创新的前沿 常青同志参加了国家"七五"、"八五"、和"九五"攻关课题的研究工作,参加了"908工程"、"909工程"和"半导体材料国家工程研究中心建设"等多项国家重点科技攻关项目研究工作,取得多项研究成果。作为主要研制者,分别于1992年9月和1995年8月研制出我国第一根直径6英寸和8英寸硅单晶。1997年8月又研制出我国第一根直径12英寸直拉硅单晶,该单晶的研制成功,被500名两院院士评选为"1997年中国十大科技进展"之一,这使我国成为世界上继美国、日本、德国之后少数具有拉制大直径硅单晶技术的国家。常青同志科研成绩显著，共获七项部级以上科技奖励："七五"公关课题《Ф76.2mm重掺锑硅、砷硅单晶及抛光片》于88年11月获中国有色金属工业总公司科技进步二等奖，并于90年获国家科技进步三等奖，他是主要参与者；"七五"公关课题《Ф76.2mmSb<100>硅单晶的制备》于90年11月获中国有色金属工业总公司科技进步二等奖，《Ф100mm重掺砷硅单晶制备》于92年12月获中国有色金属工业总公司科技进步三等奖，他都是主要参与者；在他与同事的共同努力下，国家重点"八五"公关课题《2~3μmICф125mmp<100>硅单晶(片)研制》于96年12月获计委、科委和财政部共同颁发的重大科技成果奖,并于96年12月获电子部颁发的重大成果奖;《ф100mm重砷锑N<100>硅单晶及抛光片研制》，1998年7月获国家有色工业局科技进步三等奖；《φ125mmN<100>硅单晶及抛光片研制》，1999年7月获国家有色工业局科技进步二等奖。 重点工作显身手 "九五"期间,常青同志做为技术骨干,参加国家重点科技攻关项目"909工程"Φ8英寸直拉硅抛光片生产线建设,该线已于1998年2月28日通线,常青同志在该项工作中负责组织工艺设备的搬运工作。为保证设备的安全及时到位,常青与有关领导和同志反复研究,制订搬运、安装、调试计划和方案,并认真组织实施。在院领导和有关部门的大力支持下,在中心领导和职工的共同努力下,按时完成了任务,保证了顺利通线。常青同志还参加"九五"攻关项目《0.5~0.6μ m IC用8英寸硅单晶抛光片研制》,为主要研究人员之一,该项目于1997年11月和1998年9月分别通过国家有色工业局中期评估,现正准备验收。半导体材料国家工程研究中心重视将科研成果转化为生产力,并获较好经济效益。该同志作为直拉硅单晶组长和中心副主任对此作出突出贡献。 |
--在半导体材料制备方面不断创新，取得"